该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

　　设备概述：

　　1.系统采用单室石英结构，手动上开门；

　　2.真空室上下组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），中间石英玻璃，

　　真空尺寸为； 可订制；

　　3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

　　系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

　　（可外接分子泵，预留分子泵接口)

　　4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

　　5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；

　　6.喷淋头尺寸：100×100mm，喷淋头与样品之间电极间距20-50mm连续可调；

　　7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

　　8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

　　9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；

　　10.（SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、）可选配。

　　11. 系统设有硅烷尾气处理系统(高温裂解方式)。