产品简介
技术参数品牌：DIODES型号：DMN2400UV-7批次：21+数量：60000制造商：DiodesIncorporated产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-563-6晶体管极性：N-Channel通道数量：2ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN2400UV-7 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 60000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-563-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.33 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 480 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV |
| Qg-栅极电荷： | 500 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 530 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 下降时间： | 10.54 ns |
| 上升时间： | 7.28 ns |
| 系列： | DMN2400 |
| 晶体管类型： | 13.74 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 4.06 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 mg |
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