产品简介
技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IRFB7434PBF批次：22+数量：8700制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：40VId-连续漏极电流：317ARdsOn-漏源导通电阻：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Infineon(英飞凌) |
| 型号： | IRFB7434PBF |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 8700 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 317 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.8 V |
| Qg-栅极电荷： | 324 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 294 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 宽度： | IRFB7434PBF SP001575514 |
| 零件号别名： | 2 g |
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