产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTJD4001NT1G批次:22+数量:8700制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-88-6晶体管极性:N-Channel通道数量:2ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:250mARdsOn-漏源导通电阻:1
详情介绍

技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTJD4001NT1G |
批次: | 22+ |
数量: | 8700 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-88-6 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 250 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV |
Qg-栅极电荷: | 900 pC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 272 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Dual |
下降时间: | 82 ns |
正向跨导 - 最小值: | 80 mS |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
上升时间: | 23 ns |
系列: | NTJD4001N |
晶体管类型: | 94 ns |
典型关闭延迟时间: | 17 ns |
典型接通延迟时间: | 1.25 mm |
宽度: | 290 mg |
- 上一篇: GD32F307VCT6 电子元器件 GD 批次22+
- 下一篇: S9S08AW32E5CPUE 集成电路、处理器、微
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。