集成电路的制造包括近800道物理、化学工序，主要有5个制造阶段：晶圆（Wafer）的制备、芯片制造、芯片检测、芯片封装和验收测试。

其中半导体芯片生产主要涉及IC设计、IC制造、IC封测三大环节。

核心IC制造环节是将芯片电路图从掩膜转移至硅片上，并实现对应功能的过程，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。

光刻的成本约占整个芯片制造成本的1/3，耗费时间约占整个芯片工艺的40-60%，是大规模集成电路制造过程中最复杂、昂贵和关键的工艺。

一般的光刻工艺要经历八道工序：气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准曝光、后烘 、显影、坚膜烘焙和检测。

气相成底膜工艺：

首先用六甲基二硅胺烷在硅片上形成底膜，该底膜使硅片表面疏离水分子，同时增强对光刻胶的结合力。

气相成底膜设备，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱

  HMDS烘箱将六甲基二硅胺烷HMDS气相沉积至半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后，经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

气相成底膜设备，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱特点：

HMDS药液泄漏报警提示功能

HMDS低液位报警提示功能

工艺数据记录功能

药液管道预热功能

程序锁定保护等功能

气相成底膜设备，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱性能：

1.尺寸（深*宽*高）

内腔尺寸：450×450×450（mm）（可定制）

外形尺寸：750×1120×1650（mm）

2. 材质：外箱采用优质冷轧板喷塑，内箱采用 316L 级不锈钢

3.温度范围：RT+50-200℃

4.温度分辨率：0.1℃

5.温度波动度：≤±0.5

6 真空度：≤133pa（1torr）

7.电源及总功率：AC 220V±10% / 50HZ，总功率约 3.2KW

8.控制仪表：人机界面，一键运行

9.搁板层数：2 层

10.HMDS控制：可控制HMDS 药液添加量

11.真空泵：无油涡旋真空泵