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【APC SURT6000UXICH】APC SURT6000UXICH报价,参数 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED透镜 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-12 浏览次数 2 APCSURT6000UXICH 输出 输出功率容量4200瓦数/6000VA 可配置功率4200瓦数/6000VA 额定输出电压230V 输出电压可调范围可设置为220、230或240输出电压 满负载效率92对比
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【APC SURT1000UXICH】APC SURT1000UXICH报价,参数 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED透镜 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-12 浏览次数 1 APCSURT1000UXICH说明： 输出 输出功率容量700瓦数/1000VA 可配置功率700瓦数/1000VA 额定输出电压230V 输出电压可调范围可设置为220、230或240输出电压 满负载效率88对比
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【APC SURT3000XLICH】APC SURT3000XLICH报价,参数 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED透镜 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-12 浏览次数 APCSURT3000XLICH 输出 输出功率容量2100瓦数/3000VA 可配置功率2100瓦数/3000VA 额定输出电压230V 输出电压可调范围可设置为220、230或240输出电压 满负载效率91对比
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I2 intercalated WS2 二硫化钨晶体（碘） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping.对比
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I2 intercalated MoS2 二硫化钼晶体（碘） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping.对比
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SbAsS3 三硫化砷锑晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometry consisting of Sb-Sb-S3 atoms.对比
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ReNbS2 Crystals 二硫化铌铼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS₂ matrix.对比
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ReMoS2 Crystals 二硫化钼铼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.对比
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MoReS2 Crystals 硫化铼钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 3 简要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS₂ matrix.对比
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MoWS2 二硫化钨钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.对比
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NbReS2 Crystals 硫化铼铌晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS₂ matrix.对比
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CuS 硫化铜晶体 （Copper Sulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.对比
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Bi2S3 硫化铋晶体 （Bismuth Sulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Bismuth sulfide （Bi₂S₃） Developed at our facilities in the last five （5） years to optimize the perfect stoichiometry.对比
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As2S3 硫化砷晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.对比
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三硫化镍（磷掺杂）晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%） NiPS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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三硫化铁（磷掺杂）晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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三硫化铌晶体（百分之99.995） NbS3 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：三硫化铌晶体（99.995%） NbS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2对比
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二硫化铌晶体 NbS2（2H-Niobium Disulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：二硫化铌晶体 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化铋 Bi2S3 （Bismuth Sulfide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量对比
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二硫化钼晶体（合成/2H） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS₂） comes in bulk.对比
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硫盐矿物晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：硫盐矿物晶体 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶体结构：六边形类型：合成尺寸：~8mm纯度：gt;99.995%属性：超导体对比
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二硫化钼铼晶体 MoReS₂ 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS₂ matrix.对比
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二硫化钨晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：二硫化钨晶体 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钛晶体（百分之99.995） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：二硫化钛晶体 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶体结构：六边形晶体尺寸:~10毫米电学性能：半金属，逆磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.340 nm, c = 0.570 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化铼晶体（百分之99.995） ReS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：二硫化铼晶体 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米电学性能：N型半导体晶体结构：三斜晶系晶胞参数：a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74#176;, β = 119.03#176;, γ = 89.97#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化铅锡晶体（百分之99.995） PbSnS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：二硫化铅锡晶体 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~8mm纯度：gt;99.995%属性：半导体对比
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二硫化铌晶体（百分之99.995） 3R-NbS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：二硫化铌晶体 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：4毫米电学性能：金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钨钼晶体（百分之99.995） MoWS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：二硫化钨钼晶体 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90#176;, γ =120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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大尺寸二硫化钼晶体（天然/百分99.9） MoS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：大尺寸二硫化钼晶体（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶体尺寸：~10毫米- 15毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.9%对比
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二硫化钼晶体MoS2-syn 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能：P型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钼晶体MoS2-syn-N type 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶体尺寸:~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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二硫化钼晶体（天然/百分之99）MoS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：二硫化钼晶体（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~10mm-20mm纯度：gt;99%属性：半导体对比
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二硫化铪晶体（百分之99.995） HfS2 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 3 简要描述：二硫化铪晶体 HfS2 （Hafnium Disulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化锗晶体（百分之99.995） GeS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：硫化锗晶体 GeS（Germanium Sulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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硫化镓晶体（百分之99.995） GaS 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：硫化镓晶体 GaS（Gallium Sulfide）晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%对比
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TaSe2 二硒化钽晶体 （Tantalum Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 5 简要描述：Environmentally stable 2H-TaSe2 crystals have been synthesized at our facilities through flux zone method or chemical vapor transport （CVT） technique.对比
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ZrSe3 三硒化锆晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Zirconium triselenide belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides.对比
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Sb2Se3 硒化锑晶体 （Antimony selenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Antimony triselenide is the chemical compound with the formula Sb2Se3 which crystallizes in an orthorhombic space group.对比
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ReSSe crystals 硒化硫铼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：Single crystal ReSxSe2（1-x） alloy rystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods.对比
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PdSe2 crystals 二硒化钯晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 2 简要描述：Bulk PdSe2 （palladium diselenide） has been predicted to exhivit 30 meV bａnd gap which increases to 1.43 eV indirect gap （theoretical）.对比
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ZrSe2 二硒化锆晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：ZrSe2 belongs to group-IV TMDCs family and adopts a stable 2H-hexagonal structure.对比
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ReSe2 二硒化铼晶体 （Rhenium Diselenide） 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 3 简要描述：Single crystal ReSe₂ （Rhenium diselenide） crystals are developed at our facilities using chemical vapor transport or flux zone technique methods after 8 years of growth optimization to ensure anisotro对比
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WSSe 硒化硫钨晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：Our WSSe alloys with the chemical formula WS2xSe2（1-x） crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.对比
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p-type Bi2Se3 crystals P型硒化铋晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 1 简要描述：P-type electronically doped Bismuth Selenide （Bi₂Se₃） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.对比
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p-type WSe2 crystals P型二硒化钨晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：14 years of growth optimization lead to our flawless n-type WSe2 crystals through Au or Re doping: They are simply treated as gold standards in 2D materials field.对比
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n-type MoSe2 crystals N型二硒化钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Years of growth optimization lead to our flawless n-type MoSe2 crystals through Au or Re doping: They are simply treated as gold standards in 2D materials field.对比
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MoSSe 硒化硫钼晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Our MoSSe alloys with the chemical formula MoS2xSe2（1-x） crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.对比
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n-type Bi2Se3 crystals N型硒化铋晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Bismuth Selenide （Bi₂Se₃） Developed at our facilities since early 2011 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.对比
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ZnPSe3 crystals 硒化磷锌晶体 参考价 ￥面议
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品牌 型号 类型 LED衬底 厂商性质 其他 更新时间 2026-03-05 浏览次数 简要描述：Magnetic semiconductor ZnPSe3 has a monoclinic structure with the factor group C2h.对比
