物理特性薄膜表征系统，高度集成且易于使用的测量平台。

薄膜的物理性质不同于大块材料，因为由于尺寸较小和高纵横比使寄生表面效应更强！

• 增强表面散射的影响（a）

• 附加边界散射（b）

• 超薄层的量子约束（c）

LINSEIS薄膜物性分析仪是表征各种薄膜样品优异测量工具。它是一种易于使用的独立系统，使用正在申请的测量系统设计，可提供高质量的结果。

组件

基本设置包括一个可以轻松沉积样品的测量芯片，以及提供所需环境条件的测量室。 根据应用，该设置可与锁定放大器和/或强电磁铁一起使用。 测量通常在UHV下进行，并且在测量期间使用LN2和强力加热器将样品温度控制在-170°C和280°C之间。

预制测量芯片

该芯片将用于热导率测量的3 ω技术与用于测量电阻率和霍尔系数的4点Van-der-Pauw技术相结合。 赛贝克系数可以使用位于Van-der-Pauw电极附近的附加电阻温度计来测量。 为了便于样品制备，可以使用剥离箔掩模或金属阴影掩模。 该配置允许几乎同时表征通过PVD（例如热蒸发，溅射，MBE），CVD（例如ALD），旋涂，滴铸或喷墨打印制备的样品。

该系统的一大优点是在一次测量运行中同时确定各种物理特性。所有测量都采用相同（平面内）方向，并且具有很高的可比性。

基本测量单元 ：

测量室，真空泵，带加热器的支架，电子颊侧装置，集成锁相放大器，3w方法分析软件，计算机和应用软件。可测以下物理参数：

• λ - 热传导系数 (稳态法/平面内方向)

• ρ - 电阻率

• σ - 电导率

• S - 赛贝克系数

• ε – 发射率

• Cp - 比热容

磁测量单元

可根据需求选择集成式电磁铁，可测物理参数如下：

• A_H - 霍尔常数

• μ –迁移率

• n -载流子浓度

薄膜材料性能有别于块体材料之处

- 因小尺寸和高纵横比所导致的表面效应如：边界散射和量子限域效应