技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MMBTA56LT1G |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 6444 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 晶体管类型： | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（值）： | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（值）： | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： | 100 @ 100mA，1V |
| 频率 - 跃迁： | 50MHz |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（值）： | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿（值）： | 80 V |
| 功率 - 值： | 225 mW |
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