湿法和干法刻蚀机的优缺点比较

　　湿法刻蚀机技术将声波能量均匀分布在基板表面，提高分布能量以支持理想的清洗，并确保样品的损伤阈值在范围内。该系统具有重复性高、均匀性好、Z级兆声清洗、兆声辅助光刻胶剥离和湿法刻蚀等特点。产品设计可按工艺研究步骤可以进行无损检测、化学实验试剂清洗、毛刷清洗、干燥等。

　　一.湿法和干法刻蚀机方法的优缺点:

　　1.湿法蚀刻技术系统是通过分析化学蚀刻液与被蚀刻物发生发展化学物质反应而剥离的蚀刻方法。湿法蚀刻主要是各向同性蚀刻并且不容易控制。

　　特点：适应性强，表面进行均匀，对硅片损伤小，几乎可以适用于企业所有这些金属、玻璃、塑料等材料。

　　缺点: 图纸质量不理想，图中细线难以把握。

　　2.干法刻蚀机处理系统的刻蚀介质为等离子体，利用等离子体与表面形成薄膜可以反应过程中生成挥发性有机物质，或直接轰击薄膜表面问题进行刻蚀。

　　特点：实现各向异性蚀刻，保证细节转换后图像的保真度。

　　缺点：成本管理一般，微流控芯片的制备研究较少。

　　干法刻蚀机系统包括：用于容纳等离子体的腔;腔体上方的石英板;多个磁铁位于石英板上方;旋转运动机构，其驱动发展多个磁体旋转，其中包括多个磁体产生磁体一起通过旋转的磁场。通过进行进一步发展提高粒子的碰撞频率，可以自己获得好的等离子体均匀性，提高等离子体浓度。

　　理想的蚀刻工艺须具备以下特点：①各向异性蚀刻，即只有垂直蚀刻，没有横向底切。这样可以保证在蚀刻的薄膜上准确地复制出与抗蚀剂相同的几何图形; ②蚀刻选择性好，即抗蚀剂用作掩膜，其下有另一层。薄膜或材料的蚀刻速率远小于被蚀刻薄膜的蚀刻速率，以保证在蚀刻过程中抗蚀剂掩膜的有效性，并且薄膜下的其他材料不会因过度蚀刻而损坏;③ 批量大，控制方便，成本低，环境污染小，适合工业化生产。