IBE 离子束刻蚀机原理和特性

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机, 日本原装设计制造, 适用于 Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺.

什么是 IBE ?
IBE (Ion Beam Etching) 离子束刻蚀, 通常使用 Ar 气体作为蚀刻气体, 将与电子的冲击产生的离子在 200~ 1000ev 的范围内加速, 利用离子的物理动能, 削去基板表面材料的现象. 是一种物理纳米干法刻蚀, 当离子束与基板表面碰撞时, 破坏表面存在的原子间结合力（数 eV左右）, 将表面的原子抛出.

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机包括用于产生和加速离子的考夫曼离子源, 用于使带正电荷的离子束电中性化的中和器, 用于保持基片的样品台, 真空系统(德国 Pfeiffer 真空泵)等.



上海伯东 IBE 离子束刻蚀机特性
1. 客制化设计, 超高自由度

2. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
3. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
4. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
6. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程

IBE 离子束刻蚀机型号

10 IBE 小型离子蚀刻机 适用于科研院所 10cm 考夫曼型离子源 样品: 4”φ X 1	20 IBE-C 中等规模量产 20cm 考夫曼型离子源 样品: 4”φ X 6或 3”φ X 8	20 IBE-J 大规模量产 20cm 考夫曼型离子源 样品: 4”φ X 12或 6”φX 8

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机主要应用

自旋电子学 在自旋电子学研究领域拥有大量的案例. 结合端点检测器, 可实现超薄磁性层蚀刻控制.	各类传感器 多层膜结构的金属膜（Ti, Pt, Au 等）可通过单一工艺进行加工.反应蚀刻难蚀刻材料如烫金等磁性材料也可轻松加工.	化合物半导体 氩气工艺使金的配线刻蚀以及电镀种子层的去除成为可能. 特别是在长时间刻蚀的情况下, 批处理方式在吞吐量方面非常有优势.

Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.

伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!