2026年04月23日 10:11:01 来源：伯东企业（上海）有限公司深圳办事处 >> 进入该公司展台 阅读量：10
KRi 霍尔离子源 EH 1000 应用于科研级薄膜沉积设备
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 1000 又获科研级薄膜沉积设备订单, KRi EH 1000 应用于高真空电子束蒸发设备 E-Beam, 4英寸的氧化膜沉积实验.
KRi 霍尔离子源 EH 1000 客户案例
高真空电子束蒸发设备选配上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 1000 实现晶圆的预清洗, 在高真空和超高真空环境下实现精确的多层薄膜制备(4英寸的氧化膜沉积). 满足高校及企业研发和小规模生产场合.
通过使用 KRI 离子源在沉积前用离子轰击基材表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 可以提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！
使用 KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
KRi 霍尔离子源 eH 1000 技术参数
型号 | eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
供电 | DC magnetic confinement |
- 电压 | 40-300V VDC |
- 离子源直径 | ~ 5 cm |
- 阳极结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
- 阳极 | 标准或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移动或快接法兰 |
- 高度 | 4.0' |
- 直径 | 5.7' |
- 加工材料 | 金属 |
- 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 | 10-36” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
美国 KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果.
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