分子束外延 MBE 真空系统和离子源

上海伯东提供分子束外延 MBE 真空系统和离子源
纳米和量子技术之一, 广泛应用于科研和半导体器件的生产, 分子束外延 MBE 技术可以在超高真空 UHV 条件下的单晶上获得原子尺度生长的材料. 良好的超高真空条件对外延质量至关重要. 上海伯东提供分子束外延 MBE 所需的超高真空系统和薄膜制备离子源.

分子束外延 MBE 中的真空系统
分子束外延在高真空或超高真空 10^-8 至10^-12 hPa 中进行. 典型的 MBE 沉积速率为每小时 1000 纳米, 这使得薄膜可以外延式生长. 达到这种沉积速率需要更好的真空度, 以达到与其他沉积技术相同的杂质水平. 由于超高真空环境以及没有载气, 生长的薄膜可以达到较高纯度. 上海伯东提供各种不同的干式前级泵和高压缩比的分子泵. 真空计, 并提供质谱分析仪来进行残余气体分析 RGA.

分子束外延薄膜制备重要部件-离子源
真空环境下, 使用上海伯东美国 KRi 离子源, 在沉积前通过离子 Ar 轰击材料表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 可去除物理或化学吸附的污染物, 清洁后在进行薄膜制备, 膜层厚度均匀性及附着牢固度都明显提高.

去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

超高真空 (简称 UHV) 是科学技术基础研究的实验中的一环. 超高真空 UHV 的基本要求是需要高纯度, 最少的颗粒相互作用, 而且不能有其他污染物. 真空压力需要 < 10^-5 Pa. 上海伯东提供超高真空互联整体性解决方案, 根据客户需求, 配置适合的分子泵, 涡旋泵, 旋片泵, 真空计和氦质谱检漏仪.

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