ULVAC-PHI X 射线光电子能谱仪性能优势

ULVAC-PHI X 射线光电子能谱仪性能优势
上海伯东日本 ULVAC-PHI X 射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 500, 专注于表面分析技术, 既可常规⾼通量测试, 又可微区⾼性能测试, X 射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 500 是全自动⾼性能电⼦结构综合分析平台.

ULVAC-PHI X 射线光电子能谱仪特点:
全自动化, 简单易操作
快速精准深度剖析
Cr 靶硬 X射线⽆损深度分析
全自动多样品传送停放
⾼性能⼤面积和微区 XPS 分析
多功能选装配件

X 射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 500 性能指标
Al Kα单⾊化 X射线源, X射线源可聚焦及扫描, 可应对静态和扫描两种分析模式:
X 射线聚焦束斑直径: 5.0 μm 至 400 μm连续可调, 步长小于0.5 μm
分析面积：⌀5.0μm 至 1400 μm×1400μm
能量分辨率（正常⼯作条件下）: 对Ag3d5/2峰, 半峰宽（FWHM）≤0.48eV
阳极靶靶点≥19点, 自动更换阳极靶位置

X 射线光电子能谱仪 PHI GENESIS 500 应用
适用于电池, 半导体,光伏, 新能源, 有机器件, 纳米颗粒, 催化剂, 金属材料, 聚合物, 陶瓷等固体材料及器件领域.



上海伯东代理 ULVAC-PHI 超高真空表面分析仪器, 包含光电子能谱仪 ( XPS ) ,俄歇电子能谱仪 (AES), 飞行时间二次离子质谱仪 (Tof-SIMS) 和动态二次离子质谱仪 (D-SIMS ), 应用领域涵盖纳米技术, 太阳能技术, 微电子技术, 存储介质, 催化, 生物材料, 药品以及金属, 矿物, 聚合物, 复合材料和涂料等基础材料, 满足科学研究, 失效分析, 产品质量检测等需要.

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