IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用

IBE 离子束刻蚀设备 MRAM 磁性存储器干法刻蚀应用
上海伯东代理 IBE 离子束刻蚀设备为 MRAM 磁性存储器干法刻蚀提供解决方案, 可以刻蚀不易刻蚀的金属或合成堆栈膜层 Ta, Ru, Pt … 及介质层 SiO2, SiNx … IBE 离子束刻蚀设备实现离子刻蚀 Ion Beam Etch, 离子清洗 Ion Beam Pre-clean.


上海伯东 IBE 离子束刻蚀设备特点
1. 离子束刻蚀设备可撘配美国 KRi 考夫曼品牌 RFICP 射频离子源, 针对客户所需不同的基板尺寸 2 ~12寸硅片, 离子束分布均匀性可以优于95% 以上, 达到高刻蚀均匀性


2. 样品台装置设计为可调式旋转, 刻蚀倾斜角度 0° ~170° 可以达到更佳刻蚀均匀性. 另外, 在载盘部分可以选择氦冷装置, 实现刻蚀工艺时对基板的冷却效果.

3. 进样腔体可以选择自动进样设计或是手动进样设计, 实现单片或是多片进样选择, 同时保持刻蚀工艺腔体处于真空状态, 达到连续性工艺.

上海伯东 IBE 离子束刻蚀设备案例: 满足刻蚀线条宽度, 准直度的高要求


上海伯东代理 IBE 离子束刻蚀设备可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 是一种干法物理纳米级别的刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%(部分材料 ±3%). IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 … 等研究.

对于“难去除”的材料比如贵金属（如金和铂）, 压电材料（锆钛酸铅 PZT, 铌酸锂 LiNbO3 和 氮化铝钪 AlScN, 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如 AL2O3 , Ni, Fe, Cr, Co, Cu, Mn 和 Pd 等）上海伯东 IBE 离子束刻蚀设备同样有着稳定的刻蚀均匀性.

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