磁控溅射系统是一种基于物理气相沉积（PVD）技术的高精度薄膜制备设备，通过磁场约束电子运动提高等离子体密度，实现高速、低温、高质量的薄膜沉积，广泛应用于微电子、光学、半导体、新能源及工业制造等领域。
磁场约束电子：
在靶材表面施加垂直电场的磁场，使电子在洛伦兹力作用下做螺旋运动，延长其运动路径，增加与氩气原子的碰撞概率，从而显著提高等离子体密度和溅射效率。
离子轰击靶材：
高能氩离子（Ar?）在电场加速下轰击靶材表面，使靶材原子或分子获得足够能量脱离靶面，形成溅射流。
薄膜沉积：
溅射出的靶材原子或分子在基片表面沉积，形成均匀、致密的薄膜。通过控制工艺参数（如气压、功率、温度），可精确调控薄膜的成分、厚度和结构。
1、磁控溅射系统设备核心定位
用于中试和量产，可实现高效、高精度薄膜沉积
2、核心工作环境
- 高真空溅射环境
3、溅射相关配置
- 多个溅射源
- 溅射距离可调
- 支持多种电源：直流、脉冲直流、射频电源、HiPIMS电源
- 可做反应溅射
4、样品处理能力
- 批量样品溅镀
- 样品可加热
- 样品可低温冷却
5、薄膜性能优势
- 优质薄膜质量，具备良好的膜厚均匀性和重复性
- 高精度镀膜速率和膜厚控制
- 强薄膜附着力
6、磁控溅射系统可选配置
- 可选LOAD LOCK，实现全自动送样
- 可选离子束清洗或辅助沉积
7、控制方式
- PLC+PC全自动控制
8、沉积材料与功能
- 可沉积金属、半导体、介质材料
- 可用于溅射多层薄膜、共溅合金薄膜
9、镀膜室主要技术指标
- 极限真空压力：<9E-8Torr
- 基片尺寸：可选：3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
- 可选基片加热至：600℃
- 片内膜厚均匀性：≤+/-3%
- 片间膜厚重复性：≤+/-2%
