SiC 是目前发展的宽禁带半导体材料，近几年，SiC功率器件（HMDS烘箱）得到越来越多的商业化应用，在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。例如电动汽车使用 SiC模块，其体积减小到原来的五分之一。SiC 肖特基二极管广泛应用于开关电源、不间断电源、光伏逆变器等中高功率领域，显著减少电路损耗，提高工作频率，减小电感等元件体积，提高系统功率密度。

以 SiC 为代表的宽禁带半导体功率器件，具有更小的导通电阻、更快的开关速度和更高的阻断电压，为电源技术提供了难得的发展机遇，采用宽禁带半导体器件，可以实现更高的变换效率，更高的功率密度，更高的可靠性。

以 SiC 材料为代表的宽禁带半导体因其具有高耐压、低损耗、高效率等优异特性，被视为“理想器件”而备受期待。在攻克 SiC 功率器件后，将转向实现兆赫兹电源的系列问题，如磁性器件高频化设计、磁集成技术、高频大功率电源电磁兼容技术等，由此将带来电源技术的突破，真正实现高性能、微型化的新一代宇航电源。功率开关器件是推动电源技术跨越式发展的基石，SiC功率器件（HMDS烘箱）的出现将推动电源技术更新换代，再创辉煌，由此将带来宇航电源技术和产品的全面革新，宇航电源技术的发展，实现更小的体积和质量、更优异的性能、更大的功率和更高的可靠性，从而助力整个航天技术的发展。

SiC功率器件（HMDS烘箱）用途：

光刻是半导体制造过程中的一部分。它用于描绘代表硅晶片表面特定器件或电路结构的图案。这些图案由光刻胶掩模制成，可保护其下方的基板免受后续处理。未受保护表面的物理或电气特性会被各种类型的工艺步骤改变，例如蚀刻、沉积、离子注入、溅射等。这个循环重复多次，直到完成整个器件。光刻是一个耗时且昂贵的过程。附着力不足通常会导致 PR 翘起、图案变形，在剥离抗蚀剂后需要再次重复该过程。如果 JS-HMDS90 烘箱蒸汽底漆工艺可以在两周内消除一次光刻返工工艺，因为与使用涂布机轨道的 HMDS 底漆相比，它们具有优异的附着力，这将为任何晶圆厂节省大量成本和时间。