在电力电子技术的发展中，硅功率器件的使用已经发挥到了。第三代功率半导体器件SiC（HMDS烘箱）的出现，为电力电子技术的行业发展提供了广阔的前景，不管是器件制造行业，还是电力电子装置行业，都有了光明的前途。目前，开关电源都朝着高效和高频化方向发展，从而造成了开关损耗增加、电源效率降低以及电磁感染严重等问题。针对这些问题，采用SiC MOS代替传统的Si MOS，可实现的开关速度，高开关频率和低开关损耗，同时采用有源功率因数校正的方法来提高开关电源的利用率。

    为了提高开关电源的工作频率，降低开关损耗，减少电磁污染等，采用第三代半导体（HMDS烘箱）功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS，同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利用率。该文分析了整个电路的工作原理，利用Matlab仿真软件对电路进行了仿真。仿真结果表明，在开关电源中使用SiC MOS可以提高开关频率，降低开关损耗，提高电源的利用率。功率因数可达0.998以上，负载上输出的直流电压稳定，纹波电压误差小。

SiC MOSHMDS烘箱

温度范围：RT+10-200℃

真空度：≤1torr

操作界面：人机界面

工艺编辑：可储存5个配方

气体：N2进气阀，自动控制

容积：定制

产品兼容性：2~12寸晶圆及碎片、方片等

  HMDS烘箱适用行业：MEMS、太阳能、电池片、滤波、放大、功率等器件，晶圆、玻璃、贵金属，SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、金刚石等第三代半导体材料。