SiC碳化硅（HMDS预处理系统）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

碳化硅原材料核心优势体现在：

（1）耐高压：更低的阻抗、更宽的禁带宽度，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；

（2）耐高频：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；

（3）耐高温：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。

    相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。

碳化硅晶片应用于肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。   

半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT等氮化镓射频器件，主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。

碳化硅晶片HMDS预处理系统性能：

涂布方式：气相沉积

使用温度：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

设备材质：内箱采用316L不锈钢

运行方式：一键运行，自动完成工艺处理，并有结束提示音

尺寸大小：450*450*450mm

兼容性：2-12寸晶圆及方片等

储液瓶：HMDS储液量1000ml 

真空泵：进口干式真空泵

数据处理：多个工艺配方存储，使用数据记录

保护装置：低液位报警，HMDS药液泄漏报警，超温保护并断开加热，漏电保护等