无尘无氧烘箱在晶圆级封装工艺的应用

晶圆级封装工艺流程：

1、涂覆层聚合物薄膜，以加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用。聚合物种类有光敏聚酰亚胺（PI）、苯并环丁烯（BCB）、聚苯并恶唑（PBO）。

2、重布线层（RDL）是对芯片的铝/铜焊区位置重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形，最后湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。

3、涂覆第二层聚合物薄膜，是圆片表面平坦化并保护RDL层。在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区位置。

4、凸点下金属层（UBM）采用和RDL一样的工艺流程制作。

5、植球。焊膏和焊料球通过掩膜板进行准确定位，将焊料球放置于UBM上，放入回流炉中，焊料经回流融化与UBM形成良好的浸润结合，达到良好的焊接效果。

  以上聚合物薄膜工艺中的PI/BCB/PBO聚合物固化过程中无尘无氧烘箱是必要的生产设备。

无尘无氧烘箱技术要求：

温度范围：RT+50～350/450/550℃

工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制

氧含量指标：≤ 50ppm ，实时检测

洁净度：class100/1000

控温方式：曲线升温模式；

控温段数：多段数，多工艺；

氮气控制：可调式氮气流量计，全程通氮气。

辅助降温：风冷/水冷等快速降温装置

真空无尘无氧烘箱

温度范围：RT+50～350/450/550℃

工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制

氧含量指标：≤ 50ppm，实时检测

洁净度：class100/1000

控温方式：曲线升温模式；

控温段数：多段数，多工艺；

氮气控制：可调式氮气流量计，全程通氮气。

辅助降温：风冷/水冷等快速降温装置

真空度：1torr

真空泵：涡旋无油泵