概述

  光刻是指利用特定波长的光进行辐照，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上的过程。光刻工艺是一个复杂的物理化学过程，具有大面积、重复性好、易操作以及成本低等特点，是半导体器件与大规模集成电路制造的核心步骤。

工艺流程

HMDS衬底预处理

  智能型HMDS增粘烘箱中首先去除表面污染物以及水蒸气，随后预烘烤至100~150℃，有助于增强光刻胶与衬底的黏附性，对于亲水性衬底，如SiO2、玻璃、贵金属膜等，需要使用增附剂增加衬底与光刻胶的黏附性，称为增附或者助黏。

涂胶

在硅片表面涂布一层光刻胶，光刻胶是一种对特定波长光线敏感的光敏材料，用于在曝光过程中形成电路图案。

前烘

 前烘又被称为软烘，是将涂布了光刻胶的硅片放入烘箱中进行加热，目的是为了去除光刻胶中的溶剂，增强光刻胶与硅片的黏附性，并减少光刻胶中的应力。

  前烘精密热板或无尘烘箱的温度一般控制在85~120°C之间，时间为30~60秒。烘烤后需要冷却至室温再进行后续工艺，特别是厚胶，曝光前需要等待一段时间来实现再吸水过程，保证显影速度和高对比度。

曝光

曝光需要用到光刻机，将掩模版上的电路图案与硅片上的目标位置进行精确对准，然后通过光源将掩模版上的电路图案投影到硅片上的光刻胶层上，形成所需要的电路图案。