第四代半导体材料氧化镓具有耐压、电流、功率、损耗等优势，已被国际认可并开启产业化。氧化镓作为第四代半导体材料，具有独特的材料特性和优势，但其产业化仍面临着成本、器件产业链和示范性应用等问题。

  第三代半导体是指宽禁带半导体，包括碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）这两种禁带宽度超过3eV的材料，刚刚开始大规模应用。第三代半导体材料具有高电子迁移率、高击穿电场强度、高温稳定性等优点，可用于高功率、高频率电子器件。

  第四代半导体中的超宽禁带指的是氧化镓、金刚石、氮化铝等材料，其中只有氧化镓已经实现大尺寸突破（6英寸），预计未来3-5年可以实现大规模应用。第四代半导体材料具有更好的电学性能和更广泛的应用前景，将成为未来半导体产业的重要发展方向。

  氧化镓的产业化相对简单，因为作为宽禁带材料，氧化镓的芯片制造过程抗干扰能力很强，可以用GaN的现成芯片产线就可以制造氧化镓器件。几乎所有的研发单位都是有GaN基础，从GaN转过来，不用新建实验环境，直接就在之前的HMDS真空烘箱设备上就能做氧化镓开发。

HMDS真空烘箱优点

 材质：内箱采用316L级不锈钢

工艺温度：100-150℃

温度分辨率：0.1℃

温度波动度：≤±0.5

真空度：≤1torr

操作界面：人机界面，一键作业

层数:1-2层

HMDS控制:可控制HMDS药液的添加量

图像处理：图像反转

真空泵: 进口无油泵

保护装置：紧急停止，HMDS药液泄漏报&警提示，HMDS低液位报&警，超温保护，漏电保护，过热保护等

HMDS真空烘箱 hmds烘箱  hmds预处理烤箱使基底表面由亲水性变为疏水性，增强表面的黏附性（HMDS-六甲基二硅胺烷）。适用于硅片、麟化铟、砷化镓、陶瓷、氮化镓、氧化稼、不锈钢、硫化锌、铌酸锂、石英玻璃、蓝宝石、晶圆等材料。