详细步骤如下：

对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案。

采用电铸工艺或物理气相沉积工艺在所述金属基板上于光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料。

去除掩膜基板和光刻胶图案，得到初始掩膜板; 所述初始掩膜板具有多个呈阵列式排布的、开口尺寸等于蒸镀所需的设计开孔尺寸的直孔通孔、及位于每相邻两个直孔通孔之间的挡墙。

在初始掩膜板的上、下表面分别形成上光致刻蚀层图案、下光致刻蚀层图案; 所述上光致刻蚀层图案覆盖所述挡墙的上表面，所述下光致刻蚀层图案仅覆盖所述挡墙的下表面的中间部分。

采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀，形成具有斜锥角的曲线形凹槽; 该曲线形凹槽的开口尺寸自下而上逐渐减小至蒸镀所需的设计开孔尺寸。

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