中红外LED（Mid-infrared Light-Emitting Diode）是一种能够发射波长在2–20微米范围内的半导体发光器件，覆盖了分子“指纹区”——许多气体、有机物和生物分子在此波段具有独特的吸收特征。因此，中红外LED在环境监测、工业过程控制、医疗诊断、安防检测及自由空间通信等领域具有重要应用潜力。
与可见光或近红外LED不同，中红外LED面临更大的材料与工艺挑战。由于该波段光子能量较低（约0.06–0.6 eV），传统III-V族半导体（如GaAs、InP）难以直接实现所需带隙。目前主流技术路线包括：基于IV-VI族材料（如PbSe、PbS）的窄带隙半导体、锑化物（如InAsSb、GaSb基）异质结构，以及量子点或量子阱工程调控的能带设计。此外，也有研究利用热辐射增强、等离子体耦合或上转换机制拓展LED的中红外性能。
中红外LED通常采用电致发光原理，通过载流子注入在有源区复合产生光子。然而，受限于非辐射复合增强、俄歇效应显著以及材料缺陷密度高等问题，其外量子效率（EQE）普遍较低，远低于近红外LED。同时，室温下输出功率有限，多数器件需在低温或脉冲模式下工作以提升性能。尽管如此，其优势在于结构简单、成本低、寿命长、无需谐振腔，且具备宽光谱发射特性，适合用于低成本、小型化的光谱传感系统。
近年来，随着新型窄带隙材料、纳米结构设计及先进外延技术（如分子束外延MBE）的发展，中红外LED的性能持续提升。例如，基于InAsSb/AlSb应变层超晶格的LED已实现在3–5μm波段的室温发射。未来，通过优化载流子限制、抑制热效应及提升光提取效率，中红外LED有望在便携式气体传感器、可穿戴健康监测设备及物联网节点中发挥更大作用，成为QCL等激光光源的重要补充。
