计算导通损耗

MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，因为导通电源模块阻随温度转变，因此功率耗损也会随之按比例转变。对便携 式设计来说，采用较低的电源模块压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电源模块压。细致RDS(ON)电源模块阻会随着电源模块流轻微上升。关于RDS(ON)电源模块 阻的各种电源模块气参数转变可在制造商提供的技术资料表中查到。

沟道的选择

为设计选择精确器件的步是决定采用N沟道照旧P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电源模块 压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电源模块压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电源模块压驱动的考虑。 MOSFET选型细致事项及应用实例

计算体系的散热要求

设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算效果，由于这个效果提供更大的安全余量，能 确保体系不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些必要细致的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及的结温。 开关损耗其实也是一个很紧张的指标。从下图可以看到，导通瞬间的电源模块压电源模块流乘积相称大。肯定程度上决定了器件的开关性能。不过，假如体系对开关性能要求比较高，可以选择栅极电源模块荷QG比较小的功率MOSFET。

电源模块压和电源模块流的选择

额定模块电源压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电源模块压应当大于干线电源模块压或总线电源模块压。如许才能提供充足的珍爱，使MOSFET不 会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的电源模块压，即VDS。设计工程师必要考虑的其他安全因素包括由开关电源模块子设备(如电源模块机 或变压器)诱发的电源模块压瞬变。不同应用的额定电源模块压也有所不同；通常河南人事考试中心网，便携式设备为20V、FPG[**]电源模块源为20～30V、85～220V[**]C应用为450～600V。 在延续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电源模块流延续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电源模块涌(或尖峰电源模块流)流过器件。一旦确定了这些条件下的电源模块流，只需直接选择能承受这个电源模块流的器件便可。