紫外光刻_AOD：激光直写设备主要用于无掩膜直接曝光转移微结构图案，以制备衍射光学元件、微机电系统。用于涂有光刻胶体的各种基板在(比如玻璃、硅片或其它平面材料)进行无掩膜直接曝光，将作为衍射光学元件、微机电系统加工平台设备。
紫外光刻_AOD直写性能参数：
1.系统特点
光源 405nm或375nm
基板尺寸 最大9寸
基板厚度 0.1mm~15mm
最大曝光面积 200×200mm?
温度稳定性 ±0.1°
灰度等级 4096
扩展性 支持多通道扩展
2.特色功能
脚本化刻写模式 提供脚本化编程接口，支持用户自定义加工结构
刻写与切片软件 支持JPG、TIFF、GDS等多种格式
实时自动对焦 光学对焦
自动对焦范围 100μm
3.系统配件
物镜 5×，10×，20×，50×，100×，可选高分辨镜头
4.系统尺寸
长宽高 1320mm×1320mm×2000mm
重量 1100KG
5.安装条件
电气条件 230VAC±5%，50/60Hz,16A
环境温度 温度：21±1摄氏度，湿度：50%~70%，无冷凝
压缩空气 6-9bar,±0.5bar
环境照明 黄光
洁净等级 千级洁净间
