芯片封装是将集成电路（IC）裸片（Die）通过特定工艺封装保护并实现电气连接与机械支撑的技术。封装类型根据应用场景、集成度、功耗及尺寸等因素分为多类，以下为分类及说明：

  1. 传统封装类型（引线框架类）

• DIP (Dual In-line Package)

  • 特点：双列直插式，通孔焊接，引脚间距通常为2.54mm。

  • 应用：早期低密度IC，如74系列逻辑芯片、EPROM等。

• SOP/SOIC (Small Outline Package)

  • 特点：表面贴装（SMT），引脚间距0.5mm~1.27mm，厚度薄。

  • 变体：TSOP（薄型SOP，用于DRAM）、SSOP（缩小型SOP）。

• QFP (Quad Flat Package)

  • 特点：四侧引脚扁平封装，引脚间距0.4mm~1.0mm，高引脚数（可达数百）。

  • 变体：LQFP（低剖面QFP）、TQFP（薄型QFP）。

• QFN/DFN (Quad Flat No-leads/Dual Flat No-leads)

  • 特点：底部焊盘替代引脚，无引线设计，散热佳，尺寸小。

  • 应用：射频模块、电源管理IC（如TI的BQ系列）。

   2. 封装类型（高密度集成）

• BGA (Ball Grid Array)

  • 特点：底部焊球阵列焊接，高I/O密度，抗机械应力强。

  • 变体：

    • PBGA（塑料基板，低成本）、CBGA（陶瓷基板，高可靠性）。

    • FC-BGA（倒装芯片BGA，用于CPU/GPU，如Intel酷睿处理器）。

• LGA (Lａnd Grid Array)

  • 特点：焊盘替代焊球，通过插座或直接焊接（如Intel LGA1151 CPU插座）。

• WLCSP (Wafer-Level Chip Scale Package)

  • 特点：晶圆级封装，尺寸接近裸片，无基板，直接通过焊球连接PCB。

  • 应用：移动设备传感器（如手机摄像头CIS）。

• Fan-Out封装

  • 特点：超越芯片尺寸的RDL（再布线层）技术，实现更高密度互连。

  • 示例：台积电InFO（集成扇出型），用于苹果A系列处理器。

• 2.5D/3D封装

  • 2.5D：通过硅中介层（Interposer）实现多芯片互连（如CoWoS，HBM内存+GPU）。

  • 3D：芯片垂直堆叠，TSV（硅通孔）技术（如三星3D V-NAND）。

     3. 功率器件封装

• TO (Transistor Outline)

  • 变体：TO-220（中功率）、TO-247（高功率），用于MOSFET/IGBT。

• SMD功率封装

  • DPAK/TO-252：表面贴装，散热焊盘设计（如稳压器IC）。

  • LFPAK（索尼）或 PowerSO-8：优化散热的SMT功率封装。

    4. 射频/高频封装

• QFN-EP：带裸露焊盘的QFN，增强散热（如RF PA芯片）。

• AiP (Antenna in Package)：集成天线，用于毫米波（如高通5G射频模块）。

   5. 新兴封装技术

• Chiplet异构集成：多裸片模块化封装（如AMD EPYC处理器）。

• Hybrid Bonding：混合键合技术（如台积电SoIC），间距微缩至μm级。

    选择考量因素

• 电气性能：高频信号需低寄生参数（如QFN优于QFP）。

• 散热需求：BGA/LGA适合高功耗芯片。

• 尺寸限制：消费电子倾向WLCSP/Fan-Out。

• 成本：传统封装（DIP/SOP）成本低于封装。