在电子电路领域，MOS 管是一种极为重要的电子元件。本文将以详细图文的形式，为大家深入介绍 MOS 管参数的测试方法。

沟槽式场效应管 Trench MOSFET 作为目前较为常用的金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，具有显著的优势。它具备低导通电阻和低栅漏电荷密度的特点，这使得其功率损耗低、开关速度快。而且，由于 Trench MOSFET 属于垂直结构器件，能够进一步提高沟道密度，减少芯片尺寸，从而让功率场效应管的 SMD 微型封装成为现实。

在手机电池保护电路中，常常会用到两个场效应管共漏极使用的 MOSFET。这是因为在手机保护电路中，既需要进行过充检测，也需要进行过放检测。该类 MOSFET 的内部电路结构如下图虚线内所示：

当我们打开该类 MOS 的规格书时，会看到许多相关参数：

接下来，我们详细介绍这些参数的测试方法。需要注意的是，下文中加粗字体为变量，需根据 MOS 规格书来确定实际参数。

1、VSSS 耐压测试

按下图连接测试电路，设置 VGS = 0V，VSS1 从 0V 以 0.1V 步增，逐渐增加电压至 IS = 1mA，且 MOS 无损毁，记录 VSS1 的电压。

同时，按下图连接测试电路，设置 VGS = 0V，VSS2 从 0V 以 0.1V 步增，瞬间增加电压至 IS = 1mA，且 MOS 无损毁，记录 VSS2 的电压。

2、ISSS 电流测试

按下图连接测试电路，设置 VSS = 12V，VGS = 0V，记录下 ISSS。

3、VGS (th) 开启电压测试

按下图连接测试电路，设置 VSS = 6V，以 0.1V 同步增加 VGS1 的电压，直至 ISS = 1mA，记录下此时 VGS1 的电压，同理测试另一 FET 的 VGS2。

4、IGSS 栅极漏电流测试

按下图连接测试电路，设置 VSS = 0V，VGS1 = ±8V，记录下 IGSS1，同理测试另一 FET 的 IGSS2。

5、RSS (on) 内阻测试

按下图连接测试电路，设置 IS = 6A，分别测试 VGS 等于 4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V 时，S1 与 S2 两端的电压 VS1S2，RSS（on） = VS1S2 / 6A。

6、VFSS 二极管导通电压测试

按下图连接测试电路，设置 VGS2 = 4.5V，VGS1 = 0V，VS1S2 = 4.5V，IS1S2 = 6A，记录下测试的 VFSS1。同理，设置 VGS1 = 4.5V，VGS2 = 0V，VS2S1 = 4.5V，IS2S1 = 6A，记录下测试的 VFSS2。

综上所述，通过这些详细的测试方法，我们可以准确地获取 MOS 管各项参数，从而更好地了解和应用 MOS 管。这对于电子工程师在电路设计和调试过程中具有重要的指导意义。