光刻胶属于半导体八大核心材料之一，根据半导体行业协会（SEMI）数据，光刻胶在半导体晶圆制造材料价值占比5%，光刻胶辅助材料占比7%，二者合计占比12%，光刻胶及辅助材料是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。本文主要就半导体核心材料光刻胶及其最前端的脱泡烘箱在整体中有何作用进行具体介绍。

（海向仪器生产的光刻胶脱泡箱）

海向仪器生产的光刻胶脱泡烘干箱用于半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃等材料涂胶前的预处理烘烤、涂胶后坚膜烘烤和显影后的高温烘烤。

此类设备采用四面辐射加热方式，温度场分布均匀，智能P.I.D温控系统，得到较为合适的温度控制精度。

光刻脱泡烘干箱主要应用于半导体晶圆片光刻涂胶镀膜前的基片清洗后的前烘烤(Pre baking)、涂胶后的软烘焙，曝光、显影后的坚膜硬烘等工艺。采用智能烘箱过程管理系统，基于TCP/ip协议，与工厂系统对接，实现自动化烘烤，过程管理。控制方便、操作简单、灵活性大。高精度控制、智能化操作、人性化的构造，大大提高生产效力！

半导体光刻胶生产工艺流程：

光刻工艺历经硅片表面脱水烘烤、旋转涂胶、软烘、曝光、曝光后烘烤、显影、坚膜烘烤、显影检查等工序。在光刻过程中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光、显影与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版对应的几何图形。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。　

为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。

（海向仪器生产的光刻胶脱泡箱）

　　涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。

　　在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。

　　综上所述，若您有半导体烘烤类箱体设备的需求，看完本文依旧不知道怎么选择的，欢迎和海向小编一起探讨，我们可为您提供详细或定制化的服务。

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