
一、产品概述
名称:InSe硒化铟 β相
InSe 硒化铟晶体参数:
材料名称
InSe
晶体种类
半导体、红外材料,拓扑材料
晶相 β相
纯度 >99.9%
禁带宽度 0.5 eV
注意事项 表面易氧化
昂星新型碳材料常州有限公司
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一、产品概述名称:InSe硒化铟β相InSe硒化铟晶体参数:材料名称InSe晶体种类半导体、红外材料
一、产品概述
名称:InSe硒化铟 β相
InSe 硒化铟晶体参数:
材料名称
InSe
晶体种类
半导体、红外材料,拓扑材料
晶相 β相
纯度 >99.9%
禁带宽度 0.5 eV
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