技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | TLV9001IDCKR |
批号: | 19+ |
封装: | NA |
数量: | 2500 |
QQ: | |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 2(1 年) |
类别: | 集成电路(IC) |
产品族: | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 |
放大器类型: | CMOS |
电路数: | 1 |
输出类型: | 满摆幅 |
压摆率: | 2V/µs |
增益带宽积: | 1MHz |
电流 - 输入偏置: | 5pA |
电压 - 输入补偿: | 400µV |
电流 - 供电: | 60µA |
电流 - 输出/通道: | 40mA |
电压 - 供电,单/双 (±): | ~ ,± ~ |
工作温度: | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 |
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