产品简介
技术参数品牌：Infineon/英飞凌型号：BSZ100N03MSG批号：19+封装：NA数量：2000QQ：制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TSDSON-8通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：40ARdsOn-漏源导通电阻：7
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Infineon/英飞凌 |
| 型号： | BSZ100N03MS G |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | NA |
| 数量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSDSON-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 23 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 30 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | OptiMOS 3M |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 26 S |
| 下降时间： | ns |
| 上升时间： | ns |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns |
| 典型接通延迟时间： | ns |
| 零件号别名： | BSZ100N03MSGATMA1 SP000311510 BSZ1N3MSGXT BSZ100N03MSGATMA1 |
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