产品简介
技术参数品牌：Vishay型号：IRFBG30PBF封装：to-220批次：1123数量：800制造商：Vishay产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-220AB-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：1kVId-连续漏极电流：3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | Vishay |
| 型号： | IRFBG30PBF |
| 封装： | to-220 |
| 批次： | 1123 |
| 数量： | 800 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220AB-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1 kV |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 80 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | IRFBG |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | S |
| 下降时间： | 29 ns |
| 上升时间： | 25 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 89 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 单位重量： | 6 g |
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