EVG®620NT 掩模对准系统（半自动/自动）

EVG®620NT在小的占位面积（150 mm晶圆尺寸）上提供了进的掩模对准技术。

技术数据

EVG620 NT以其多功能性和可靠性而著称，在小的占位面积上结合了的对准功能和化的总体拥有成本，提供了进的掩模对准技术。它是光学双面光刻的理想工具，可提供半自动或自动配置以及可选的全外壳Gen 2解决方案，以满足大批量生产要求和制造标准。操作员友好型软件，短的掩模和工具更换时间以及高效的服务和支持使它成为任何制造环境的理想解决方案。

EVG620 NT或容纳的EVG620 NT Gen2掩模对准系统配备了集成的隔振系统，可在各种应用中获得曝光效果，例如对薄而厚的抗蚀剂进行曝光，对深腔进行构图以及可比较的形貌。以及薄而易碎的材料（例如化合物半导体）的加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVGSmartNIL技术。

特征

晶圆/基板尺寸从碎片到150毫米/ 6&＃39;

系统设计支持光刻工艺的多功能性

易碎，薄或翘曲的多种晶圆尺寸的晶圆处理，更换时间短

带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿程序

自动原点功能，用于对准键的居中

具有实时偏移校正的动态对准功能

支持新的UV-LED技术

返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统

自动化系统上的手动基材装载功能

可以从半自动版本升级为全自动版本

小化系统占地面积和设施要求

多用户概念（数量的用户帐户和配方，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）

的软件功能以及研发与生产之间的兼容性；敏捷处理和转换重组；远程技术支持和SECS / GEM兼容性；

附加功能：键对齐 红外对准 纳米压印光刻（NIL）

技术数据

曝光源：汞光源/紫外线LED光源

的对齐功能：手动对准/原位对准验证 自动对齐 动态对齐/自动边缘对齐

对准偏移校正算法：通量

全自动：批生产量：每小时180片

全自动：吞吐量对齐：每小时140片晶圆

晶圆直径（基板尺寸）：高达150毫米；

对齐方式： 上侧对齐：≤± µm ； 底侧对齐：≤±1,0 µm ； 红外校准：≤±2,0 µm