EVG®501 Wafer Bonding System

EVG®501 晶圆键合系统

适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统

EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200 mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。

特征

的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接粘合）

可选的涡轮泵（<1E-5mbar）

可升级用于阳极键合

开室设计，易于转换和维护

兼容试生产

开室设计，易于转换和维护

200毫米粘合系统的小占地面积：平方米

配方与EVG的大批量生产粘合系统兼容

技术数据

接触力：20千牛；

加热器尺寸150毫米200毫米； 小基板尺寸单芯片100毫米

真空：标准：毫巴

可选：1E-5 mbar 温度：450°摄氏度

单芯片加工：是； 夹盘系统/对准系统

150毫米加热器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200

200毫米加热器：EVG®6200，SmartView®NT

主动水冷 对于底面

阳极键合电源： 电压：2 kV； 电流：50 mA

装载室：详见手册；

EVG®510 Wafer Bonding System

EVG®510晶圆键合系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备兼容

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从基板到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合配方易于转移，可轻松扩大生产规模。

特征

的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的设计和配置，用于研究和试点

将单芯片形成晶圆

各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接粘合）

可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）

可升级用于阳极键合

开室设计，易于转换和维护

生产兼容

高通量，具有快速加热和泵送规格

通过自动楔形补偿实现高产量

开室设计，可快速转换和维护

200毫米粘合系统的小占地面积：平方米

配方与EVG的大批量生产粘合系统兼容

技术数据：

接触力：10、20、60 kN 加热器尺寸150毫米200毫米

小基板尺寸单芯片100毫米

真空：标准：毫巴 ；可选：1E-5 mbar

温度：标准：550°C；可选：650°C 单芯片加工：是；

夹盘系统/对准系统：

150毫米加热器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200

200毫米加热器：EVG®6200，SmartView®NT

主动水冷；

对于底面

阳极键合电源：

电压：2 kV

电流：50 mA

装载室：详见手册；