C-V/I-V特性测试仪是为半导体C-V特性分析测试和I-V特性测试分析设计的C-V/I-V测试系统。

　　C-V/I-V特性测试仪具有较高的C-V测试精度，提供流线型C-V曲线和偏置温度压力程序，方便用户使用，点击鼠标就可测量C-V曲线，显示所有C-V曲线绘图和测试结果。密码保护功能允许使用人员预设所有C-V测试结果和压力测试周期。测试结果可保存起来用于后来分析。

　　C-V/I-V特性测试仪功能

　　提供Swept,Retrace或Pulsed模式，可以检测C-V/I-V特性测试仪在不同情况下的性能。

　　Swept模式：测试衬底的掺杂，平带电压，阈值电压，流动离子浓度等。“闪光"和“稳定"功能可达到平衡反转电容。

　　电导率测量：测量电导率和电容测量真实的器件电容值和耗尽区电导。

　　掺杂曲线：可把C-V曲线数据转换成“掺杂曲线"，这种掺杂曲线非常适合低掺杂离子注入监测。

　　C-V/I-V特性测试仪规格参数

　　PN结掺杂分布：范围1x10^13离子/cm^3到1x10^18离子/cm^3,深度微米~100微米。

　　深度和掺杂范围由零偏压耗尽宽度,击穿电压和仪器电压范围决定。

　　典型值：1x10^15离子/cm^3,深度：1~17微米

　　1x10^16离子/cm^3,深度：~微米

　　精度：典型+/-2%

　　MOS掺杂分布：范围2x10^14离子/cm^3到5x10^17离子/cm^3,深度微米~10微米。

　　深度和掺杂范围由击穿电压,氧化层击穿和仪器电压范围决定。

　　典型值：1x10^15离子/cm^3,深度：~5微米

　　1x10^16离子/cm^3,深度：~2微米

　　精度：典型+/-5%

　　植入剂量计算： 范围5x10^10离子/cm^2到5x10^12离子/cm^2,

　　精度：典型+/-8%

　　寿命： 范围微秒~秒

　　典型值：100~1000微秒

　　精度：典型+/-8%

　　平带电压偏移： 范围：~50V

　　典型值：~

　　精度：+/-2%

　　流动离子电荷浓度:范围1x10^10离子/cm^2到1x10^13离子/cm^2

　　典型值：2x10^10离子/cm^2/eV

　　精度：典型+/-2%，+/-1x10^10离子/cm^2

　　界面陷阱密度：范围2x10^9离子/cm^2/eV到1x10^12离子/cm^2/eV

　　典型值：3x10^10离子/cm^2

　　精度：典型+/-7%，+/-3x10^9离子/cm^2/eV

　　C-V特性 范围：+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA

　　精度：+/-1%

　　结二极管参数： 范围：Rs~1000欧姆，Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:~

　　典型值：Rs 2欧姆， Is 1x10^-11安培, n:

　　精度：+/-5%

　　氧化物击穿场 范围：0~20MV/cm

　　典型值：8MV/cm

　　精度：+/-5%.